| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
RFD16N05LSM bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
RFD16N05LSM bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - BYCHIP ELECTRONICS CO., LIMITED |
|
1 / 4 page ![]() Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Drain Current-Continuous ID 30 A Drain Current-Continuous(TC=100℃) ID (100℃) 20 A Pulsed Drain Current IDM 74 A Maximum Power Dissipation PD 50 W Derating factor 0.33 W/℃ Single pulse avalanche energy (Note 5) AS E 144 mJ Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55 To 175 ℃ Thermal Characteristic Thermal Resistance,Junction-to-Case (Note 2) RθJC 3 ℃ /W N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features VDS= 60V, ID= 30A RDS(ON) < 27 mΩ @ VGS = 10V RDS(ON) < 33 mΩ @ VGS = 4.5V ● Advanced Trench Technology ● Provide Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge ● Lead Free and Green Available 100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! General Features www.bychip.cn Pin Assignment TO-252-2L Top View Schematic Diagram RFD16N05LSM v1.0 |
Số phần tương tự - RFD16N05LSM |
|
Mô tả tương tự - RFD16N05LSM |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |