| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PEMB3 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PEMB3 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
4 / 8 page ![]() 2001 Sep 14 4 Philips Semiconductors Preliminary specification PNP resistor-equipped double transistor R1 = 4.7 k Ω, R2 = open PEMB3 CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. TYP. MAX. UNIT Per transistor ICBO collector cut-off current IE = 0; VCB = −50 V −−−100 nA ICEO collector cut-off current IB = 0; VCE = −50 V −−−1 µA IB = 0; VCE = −30 V; Tj = 150 °C −−−50 µA IEBO emitter cut-off current IC = 0; VEB = −5V −−−100 nA hFE DC current gain IC = −1 mA; VCE = −5 V 200 −− VCEsat collector-emitter saturation voltage IC = −5 mA; IB = −0.25 mA −−−100 mV R1 input resistor 3.3 4.7 6.1 k Ω Cc collector capacitance IE =ie = 0; VCB = −10 V; f = 1 MHz −− 3pF |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |