| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
GAP3SLT33 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
GAP3SLT33 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() Schottky Barrier Rectifier GAP3SLT33 www.iscsemi.com 1 FEATURES ·Multi-layer Metal -Silicon Potential Structure ·Low Leakage Current ·High Current Capability, High Efficiency ·High Junction Temperature Capability MECHANICAL CHARACTERISTICS ·Low Voltage High Frequency Switching Power Supply ·Low Voltage High Frequency Invers Circuit ·Low Voltage Continued Circuit and Protection Circuit ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VRRM VRMS Peak Repetitive Reverse Voltage RMS Voltage 3300 V IF Continuous forward current 0.3 A IF(RMS) RMS forward current 0.35 A IFSM Surge non repetitive forward current tp = 10 ms sinusoidal 2 A TJ Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~175 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance, Junction to Case 1.69 ℃ /W |
Số phần tương tự - GAP3SLT33 |
|
Mô tả tương tự - GAP3SLT33 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |