SW200R10VT datasheet(1/9 Pages) VBSEMI

tên linh kiện	SW200R10VT

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

PDF	9 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	VBSEMI [VBsemi Electronics Co.,Ltd]

Trang chủ	www.VBsemi.com

Logo

1 / 9 page

1

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

FEATURES

•

Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

•

Extremely Low Qgd for Switching Losses

•

100 % Rg Tested

•

100 % Avalanche Tested

•

Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

•

Primary Side Switch

PRODUCT SUMMARY

VDS (V)

RDS(on) (Ω)ID (A)

a

Qg (Typ.)

100

0.020 at VGS = 10 V

10.4

23 nC

0.027 at VGS = 8 V

9.5

SO-8

SD

GD

5

6

7

8

Top View

2

3

4

1

N-Channel MOSFET

G

D

S

Notes:

a. Based on TC = 25 °C.

b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board.

c. t = 10 s.

d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

100

V

Gate-Source Voltage

VGS

± 20

Continuous Drain Current (TJ = 150 °C)

TC = 25 °C

ID

10.4

A

TC = 70 °C

9.1

TA = 25 °C

8.5b, c

TA = 70 °C

7.5b, c

Pulsed Drain Current

IDM

50

Continuous Source-Drain Diode Current

TC = 25 °C

IS

4.5

TA = 25 °C

2.6b, c

Single Pulse Avalanche Current

L = 0.1 mH

IAS

20

Single Pulse Avalanche Energy

EAS

20

mJ

Maximum Power Dissipation

TC = 25 °C

PD

5.9

W

TC = 70 °C

3.8

TA = 25 °C

3.1b, c

TA = 70 °C

2b, c

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ, Tstg

- 55 to 150

°C

THERMAL RESISTANCE RATINGS

Parameter

Symbol

Typical

Maximum

Unit

Maximum Junction-to-Ambientb, f

t

≤ 10 s

RthJA

33

40

°C/W

Maximum Junction-to-Foot (Drain)

Steady State

RthJF

17

21

SW200R10VT

www.VBsemi.com

服务热线：400-655-8788

Số phần tương tự - SW200R10VT

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Xian Semipower Electron...	SW200R10VT	831Kb / 7P	N-channel Enhanced mode TO-252/TO-251/SOP-8 MOSFET

More results

Mô tả tương tự - SW200R10VT

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Vishay Siliconix	SI2328DS	41Kb / 4P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 25-Dec-01
Guangdong Kexin Industr...	KI2328DS	51Kb / 2P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4102DY	209Kb / 4P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 08-Oct-07
	SI7454DP	196Kb / 4P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET 13-Feb-06
	SI7456DDP	482Kb / 13P	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 21-May-12
Analog Power	AM4490NE	364Kb / 5P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
	AM90N10-23P	129Kb / 3P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
	AM7412N	99Kb / 3P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Vishay Siliconix	SI4190DY-T1-GE3	271Kb / 10P	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 22-Nov-10
Vishay Siliconix	SIR876DP	191Kb / 9P	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 22-Nov-10

More results

SW200R10VT bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

SW200R10VT bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - VBsemi Electronics Co.,Ltd

Số phần tương tự - SW200R10VT

Mô tả tương tự - SW200R10VT

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9

bảng dữ liệu tải về

Link URL