NJ01 datasheet(1/2 Pages) INTERFET

tên linh kiện	NJ01

Giải thích chi tiết về linh kiện	Silicon Junction Field-Effect Transistor

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	INTERFET [InterFET Corporation]

Trang chủ	http://www.interfet.com

Logo

1 / 2 page

F-2

01/99

NJ01 Process

Silicon Junction Field-Effect Transistor

¥ Low-Current

¥ Low Gate Leakage Current

¥ High Input Impedance

Absolute maximum ratings at TA = 25¡C

Gate Current, Ig

10 mA

Operating Junction Temperature, Tj

+150°C

Storage Temperature, Ts

– 65°C to +175°C

Devices in this Databook based on the NJ01 Process.

Datasheet

2N4117, 2N4117A

2N4118, 2N4118A

2N4119, 2N4119A

IFN421, IFN422

IFN423, IFN424

IFN425, IFN426

Datasheet

DPAD1, DPAD2

DPAD5, DPAD10

PAD1, PAD2

PAD5

VCR7N

At 25°C free air temperature:

NJ01 Process

Static Electrical Characteristics

Min

Typ

Max

Unit

Test Conditions

Gate Source Breakdown Voltage

V(BR)GSS

– 40

– 50

V

IG = – 1 µA, VDS = ØV

Gate Reverse Current

IGSS

– 0.5

– 10

pA

VGS = – 20V, VDS = ØV

Gate Source Cutoff Voltage

VGS(OFF)

– 0.5

– 6

V

VDS = 10V, ID = 1 µA

Drain Saturation Current (Pulsed)

IDSS

0.03

0.6

mA

VDS = 10V, VGS = ØV

Dynamic Electrical Characteristics

Common Source Forward Transconductance

gfs

175

µS

VDS = 10V, VGS = ØV

f = 1 kHz

Common Source Input Capacitance

Ciss

2pF

VDS = 10V, VGS = ØV

f = 1 MHz

Common Source Reverse Transfer Capacitance

Crss

0.9

pF

VDS = 10V, VGS = ØV

f = 1 MHz

1000 N. Shiloh Road, Garland, TX 75042

(972) 487-1287 FAX (972) 276-3375

www.interfet.com

G

S-D

Die Size = 0.016" X 0.016"

All Bond Pads = 0.004" Sq.

Substrate is also Gate.

Databook.fxp

1/13/99 2:09 PM

Page F-2

Số phần tương tự - NJ01

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Nanjing International G...	NJ0311L3	1Mb / 4P	Single Line TVS Diode for ESD
	NJ0311T	2Mb / 4P	Single Line TVS Diode for ESD
	NJ0511L3	2Mb / 4P	Single Line TVS Diode for ESD
	NJ0521L	2Mb / 4P	Single Line TVS Diode for ESD
	NJ0524P	1Mb / 4P	Single Line TVS Diode for ESD

More results

Mô tả tương tự - NJ01

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
InterFET Corporation	NJ14AL	127Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ26	126Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ36D	128Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ42	128Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ72L	127Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ132	123Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ450	126Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ450L	127Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	NJ903L	126Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor
	PJ99	128Kb / 2P	Silicon Junction Field-Effect Transistor

More results

NJ01 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - InterFET Corporation

NJ01 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - InterFET Corporation

Số phần tương tự - NJ01

Mô tả tương tự - NJ01

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL