TMF8901F datasheet(1/5 Pages) AUK

tên linh kiện	TMF8901F

Giải thích chi tiết về linh kiện	Si RF LDMOS Transistor

PDF	5 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	AUK [AUK corp]

Trang chủ	https:www.auk.co.kr

Logo

1 / 5 page

□ Features

- Power gain

G

P = 12.5 dB at VDS = 4.5 V, IDset = 200 mA, f = 470 MHz

- Output power

P

OUT = 32 dBm at VDS = 4.5 V, IDset = 200 mA, f = 470 MHz

- Drain efficiency

η

D = 60 % (typ.)

□ Applications

- VHF and UHF wide band amplifier

SOT-89

□ Absolute Maximum Ratings (T

A = 25 ℃)

Pin Configuration

1. Gate

2. Source

3. Drain

4. Source

Unit in mm

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

150

℃

W

Unit

VDS

13.0

V

Parameter

Symbol

Ptot

3

Ratings

℃

Tstg

-65 ~ 150

V

ID

1.2

A

VGS

4.0

Tch

4

□ Marking

8901

1

2

3

4

TMF8901F

Si RF LDMOS Transistor

Semiconductor

Số phần tương tự - TMF8901F

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
AUK corp	TMF8901B	221Kb / 5P	Si RF LDMOS Transistor

More results

Mô tả tương tự - TMF8901F

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
AUK corp	TMF8901B	221Kb / 5P	Si RF LDMOS Transistor
Polyfet RF Devices	L2821	64Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	L8721P	53Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	L88016	59Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LB501	62Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LC801	60Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LK702	60Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LP721	60Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LP802	61Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR
	LP821	61Kb / 2P	RF POWER LDMOS TRANSISTOR

More results

TMF8901F bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - AUK corp

TMF8901F bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - AUK corp

Số phần tương tự - TMF8901F

Mô tả tương tự - TMF8901F

Html Pages

1 2 3 4 5

bảng dữ liệu tải về

Link URL