| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS01DTP06 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STS01DTP06 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 11 page ![]() STS01DTP06 5/11 2.1 Electrical characteristics (curve) VBE(sat) (1) Base-emitter saturation voltage IC = -1A IB = -10mA -0.85 -1.1 V hFE (1) DC current gain IC = -1A VCE = -2V IC = -3A VCE = -2V 100 30 1. Pulsed: Pulse duration = 300 ms, duty cycle ≤ 1.5 % Table 4. Q2-PNP transistor electrical characteristics Symbol Parameter Test Conditions Min. Typ. Max. Unit Figure 1. Reverse biased area Q1 NPN transistor Figure 2. DC current gain Q1 NPN transistor Figure 3. DC current gain Q1 NPN transistor Figure 4. Collector-emitter saturation voltage Q1 NPN transistor |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |