công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

P60NS04ZB bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện P60NS04ZB
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel clamped - 10mohm - 60A - TO-220 Fully protected Mesh Overlay Power MOSFET
PDF  13 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

P60NS04ZB bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  P60NS04ZB Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics P60NS04ZB Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 13 page
background image
STP60NS04ZB
Electrical ratings
3/13
1
Electrical ratings
Table 1.
Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VDS
Drain-source voltage (VGS = 0)
Clamped
V
VGS
Gate- source voltage
Clamped
V
ID
Drain current (continuous) at TC = 25°C
60
A
ID
Drain current (continuous) at TC = 100°C
42
A
IDG
Drain gate current (continuous)
±50
mA
IGS
Gate source current (continuous)
±50
mA
IDM
(1)
1.
Pulse width limited by safe operating area.
Drain current (pulsed)
240
A
Ptot
Total dissipation at TC = 25°C
150
W
Derating factor
1
W/°C
VESD(G-S)
Gate-source ESD
(HBM - C = 100pF, R=1.5 k
Ω)
6KV
VESD(G-D)
Gate-drain ESD
(HBM - C = 100pF, R=1.5 k
Ω)
4KV
VESD(D-S)
Drain-source ESD
(HBM - C = 100pF, R=1.5 k
Ω)
4KV
Tstg
Storage temperature
-65 to 175
°C
Tj
Max. operating junction temperature
Table 2.
Thermal data
Rthj-case
Thermal resistance junction-case max
1
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-ambient max
62.5
°C/W
TJ
Maximum lead temperature for soldering purpose
300
°C
Symbol
Parameter
Max Value
Unit
IAR
Avalanche current, repetitive or not-repetitive
(pulse width limited by Tj max)
60
A
EAS
Single pulse avalanche energy
(starting Tj = 25 °C, ID = IAR, VDD = 30 V)
400
mJ



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com