| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
P190NF04 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
P190NF04 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 16 page ![]() STP190NF04 - STB190NF04 - STB190NF04-1 Electrical ratings 3/16 1 Electrical ratings Table 1. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 40 V VDGR Drain-gate voltage (RGS = 20 kΩ)40 V VGS Gate- source voltage ± 20 V ID (1) 1. Value limited by package Drain current (continuous) at TC = 25°C 120 A ID (1) Drain current (continuous) at TC = 100°C 120 A IDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area. Drain current (pulsed) 480 A Ptot Total dissipation at TC = 25°C 310 W Derating factor 2.07 W/°C dv/dt(3) 3. ISD ≤190A, di/dt ≤600A/µs, VDD ≤V(BR)DSS, Tj ≤TJMAX Peak diode recovery voltage slope 7 V/ns EAS (4) 4. Starting Tj = 25 °C, ID = 95A, VDD = 35V Single pulse avalanche energy 860 mJ Tstg Storage temperature -55 to 175 °C Tj Max. operating junction temperature Table 2. Thermal data Rthj-case Thermal resistance junction-case max 0.48 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max 50 °C/W TJ Maximum lead temperature for soldering purpose(1) 1. for 10 sec. 1.6mm from case 300 °C |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |