| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
B2D20120HC bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - BASIC SEMICONDUCTOR |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
B2D20120HC bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - BASIC SEMICONDUCTOR |
|
2 / 7 page ![]() Rev. 0.1 www.basicsemi.com 2 / 7 Maximum Ratings (TC=25℃ unless otherwise specified) SiC Schottky Diode B2D20120HC Symbol Parameter Test conditions Value Unit VRRM Repetitive peak reverse voltage 1200 V VRSM Non-repetitive peak reverse voltage 1200 V IF Continuous forward current TC=25°C TC=155°C 36*/72** 10*/20** A IFSM Non-Repetitive forward surge current TC=25°C , tp=10ms, Half Sine Wave 85* A ∫i2dt i2t value TC=25°C ,tp=10ms 36.12* A2S Ptot Power dissipation TC=25°C TC=110°C 156* 67* W Tj Operating junction temperature - 55~175 °C Tstg Storage temperature - 55~175 °C TO-247 mounting torque M3 Screw 0.7 Nm * Per Leg, ** Per Device Thermal Characteristics Symbol Parameter Value Unit Min. Typ. Max. Rth(jc) Thermal resistance from junction to case 0.96* 0.48** K/W * Per Leg, ** Per Device |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |