| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISCF8001 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCF8001 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
3 / 5 page ![]() ISCF8001 SiC N-Channel MOSFET www.iscsemi.com 2023-8-18 3 SOURCE-DRAIN BODY DIODE CHARACTERISTICS Drain - Source Body Diode Characteristics VSD Diode Forward Voltage ISD= 1A; VGS= 0V;TJ=25°C -- 3.5 -- V ISD= 1A; VGS= 0V;TJ=150°C -- 3.4 -- trr Reverse Recovery Time VGS=-5V,ISD=2A dI/dt=1200A/us, Vds=1200V -- 23 -- ns Qrr Reverse Recovery Charge -- 31 -- uC CUICUIT DIAGRAM |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |