| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BU2507DF bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BU2507DF bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 6 page ![]() Philips Semiconductors Product specification Silicon Diffused Power Transistor BU2507DF Fig.1. Switching times waveforms. Fig.2. Switching times definitions. Fig.3. Switching times test circuit. Fig.4. High and low DC current gain. h FE = f (IC) V CE = 1 V Fig.5. High and low DC current gain. h FE = f (IC) V CE = 5 V Fig.6. Typical collector-emitter saturation voltage. V CEsat = f (IC); parameter IC/IB IC IB VCE ICsat IBend 64us 26us 20us t t t TRANSISTOR DIODE BU2507DF/X 0.01 0.1 1 10 1 10 100 IC / A hFE Ths = 25 C Ths = 85 C VCE = 1 V ICsat 90 % 10 % tf ts IBend IC IB t t - IBM BU2507DF/X 0.01 0.1 1 10 1 10 100 IC / A hFE VCE = 5 V Ths = 25 C Ths = 85 C + 150 v nominal adjust for ICsat 1mH 12nF D.U.T. LB IBend -VBB Rbe 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 IC / A VCESAT / V Ths = 25 C Ths = 85 C IC/IB = 3 IC/IB = 4 IC/IB = 5 BU2507DF/X September 1997 3 Rev 1.200 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |