IXTH1N100 datasheet(1/2 Pages) IXYS

tên linh kiện	IXTH1N100

Giải thích chi tiết về linh kiện	High Voltage MOSFET

PDF	2 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

1 / 2 page

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V

DSS

T

J

= 25

°C to 150°C

1000

V

DGR

T

J

= 25

°C to 150°C; R

GS = 1 MΩ

1000

V

GS

Continuous

±20

V

GSM

Transient

±30

V

I

D25

T

C

= 25

°C

1.5

A

I

DM

T

C

= 25

°C, pulse width limited by T

JM

6A

I

AR

1.5

A

E

AR

T

C

= 25

°C6

mJ

E

AS

T

C

= 25

°C

200

mJ

dv/dt

I

S

≤ I

DM, di/dt ≤ 100 A/µs, VDD ≤ VDSS,

3

V/ns

T

J

≤ 150°C, R

G = 18 Ω

P

D

T

C

= 25

°C60

W

T

J

-55 ... +150

°C

T

JM

150

°C

T

stg

-55 ... +150

°C

M

d

Mounting torque (TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

TO-268

4

g

TO-247

6

g

Maximum lead temperature for soldering

300

°C

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

High Voltage MOSFET

G = Gate,

D = Drain,

S = Source,

TAB = Drain

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T

J = 25°C, unless otherwise specified)

min.

typ.

max.

V

DSS

V

GS

= 0 V, I

D = 250 µA

1000

V

GS(th)

V

DS

= V

GS, ID = 25 µA

2.5

4.5

V

I

GSS

V

GS

=

±20 V

DC, VDS = 0

±100

nA

I

DSS

V

DS

= V

DSS

T

J = 25°C25

µA

V

GS = 0 V

T

J = 125°C

500

µA

R

DS(on)

V

GS

= 10 V, I

D = 1.0A

11

Ω

Pulse test, t

≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

Features

International standard packages

High voltage, Low R

DS (on) HDMOS

TM

process

Rugged polysilicon gate cell structure

Fast switching times

Applications

Switch-mode and resonant-mode

power supplies

Flyback inverters

DC choppers

High frequency matching

Advantages

Space savings

High power density

98886 (1/2)

V

DSS

= 1000 V

I

D25

=

1.5 A

R

DS(on)

=

11

Ω

Advance Technical Information

IXTH 1N100

IXTT 1N100

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

TO-247 AD (IXTH)

D (TAB)

TO-268 Case Style

(TAB)

G

S

Số phần tương tự - IXTH1N100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Inchange Semiconductor ...	IXTH1N100	381Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

More results

Mô tả tương tự - IXTH1N100

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXTA1N100	46Kb / 2P	High Voltage MOSFET
	98822	60Kb / 2P	High Voltage MOSFET
	IXTP01N100	51Kb / 2P	High Voltage MOSFET
	IXTU01N80	68Kb / 2P	High Voltage MOSFET
	IXTA2N80	46Kb / 2P	High Voltage MOSFET
	IXTA05N100	541Kb / 4P	High Voltage MOSFET
Silan Microelectronics ...	3VD499650YL	96Kb / 1P	HIGH VOLTAGE MOSFET CHIPS
IXYS Corporation	IXTT1N450HV	156Kb / 5P	High Voltage Power MOSFET
	IXTF03N400	155Kb / 4P	High Voltage Power MOSFET
	IXTH20N50D	163Kb / 5P	High Voltage MOSFET

More results

IXTH1N100 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - IXYS Corporation

IXTH1N100 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - IXYS Corporation

Số phần tương tự - IXTH1N100

Mô tả tương tự - IXTH1N100

Html Pages

1 2

bảng dữ liệu tải về

Link URL