| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3DD103C bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3DD103C bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 3DD103C DESCRIPTION · Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 500V(Min.) · Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 4V(Max)@ IC= 3A · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for power amplifier , DC-DC converts ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.5 ℃ /W SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 600 V VCEO Collector-Emitter Voltage 500 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current-Continuous 3 A PC Collector Power Dissipation@TC=75℃ 50 W TJ Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ |
Số phần tương tự - 3DD103C |
|
Mô tả tương tự - 3DD103C |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |