| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MS2604 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MS2604 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
1 / 3 page ![]() 12-05-2002 MS2604 RF& MICROWAVE TRANSISTORS S BAND RADAR APPLICATIONS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tcase = 25°°°°C) Symbol Parameter Value Unit VCC Collector Supply Voltage 46 V IC Device Current 4 A PDISS Power Dissipation 100 W TJ Junction Temperature 200 °°°°C TSTG Storage Temperature -65 to +200 °°°°C Thermal Data Thermal Data Thermal Data Thermal Data RTH(J-C) Junction - Case Thermal Resistance 2.0 °°°°C/W Features Features Features Features • 2.7 – 3.1 GHz • 40 VOLTS • POUT = 25 WATTS • GP = 6.2 dB MINIMUM • GOLD METALLIZATION • INPUT/OUTPUT MATCHING • COMMON BASE CONFIGURATION DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION: DESCRIPTION: The MS2604 is a silicon NPN bipolar transistor designed for pulsed S-Band radar applications. The MS2604 is capable of operation over a wide range of pulse widths and duty cycles. Internal impedance matching and gold metalization provide consistent broadband performance and long term reliability. |
Số phần tương tự - MS2604 |
|
Mô tả tương tự - MS2604 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |