BLV21 datasheet(4/11 Pages) PHILIPS

tên linh kiện	BLV21

Giải thích chi tiết về linh kiện	UHF power transistor

PDF	11 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	PHILIPS [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

4 / 11 page

August 1986

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

VHF power transistor

BLV21

CHARACTERISTICS

Note

1. Measured under pulse conditions: tp ≤ 200 µs; δ≤ 0,02.

Tj =25 °C

Collector-emitter breakdown voltage

VBE = 0; IC = 5 mA

V(BR) CES

65 V

Collector-emitter breakdown voltage

open base; IC = 25 mA

V(BR) CEO

36 V

Emitter-base breakdown voltage

open collector; IE = 2 mA

V(BR)EBO

Collector cut-off current

VBE = 0; VCE = 36 V

ICES

2mA

Second breakdown energy; L = 25 mH; f = 50 Hz

open base

ESBO

2,5 mJ

RBE =10 Ω

ESBR

2,5 mJ

D.C. current gain(1)

typ.

IC = 0,7 A; VCE =5 V

hFE

10 to 100

Collector-emitter saturation voltage(1)

IC = 2 A; IB = 0,4 A

VCEsat

typ.

0,65 V

Transition frequency at f = 100 MHz(1)

−IE = 0,7 A; VCB = 28 V

typ.

650 MHz

−I

E = 2 A; VCB = 28 V

typ.

625 MHz

Collector capacitance at f = 1 MHz

IE =Ie =0;VCB = 28 V

typ.

18 pF

Feedback capacitance at f = 1 MHz

IC = 100 mA; VCE = 28 V

Cre

typ.

12,8 pF

Collector-ﬂange capacitance

Ccf

typ.

2 pF

BLV21 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors

BLV21 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors

Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

bảng dữ liệu tải về

Link URL