| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFS505 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFS505 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 12 page ![]() September 1995 3 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistor BFS505 LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). THERMAL RESISTANCE Note 1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector tab. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 20 V VCES collector-emitter voltage RBE =0 − 15 V VEBO emitter-base voltage open collector − 2.5 V IC DC collector current − 18 mA Ptot total power dissipation up to Ts = 147 °C; note 1 − 150 mW Tstg storage temperature −65 150 °C Tj junction temperature − 175 °C SYMBOL PARAMETER CONDITIONS THERMAL RESISTANCE Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point up to Ts = 147 °C; note 1 190 K/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |