| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFS17 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFS17 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - NXP Semiconductors |
|
4 / 6 page ![]() September 1995 4 Philips Semiconductors Product specification NPN 1 GHz wideband transistor BFS17 Fig.2 DC current gain as a function of collector current. VCE = 1 V; Tj =25 °C. handbook, halfpage 0 100 50 0 10 30 MEA395 20 IC (mA) hFE Fig.3 Collector capacitance as a function of collector-base voltage. IE =ie = 0; f = 1 MHz; Tj =25 °C. handbook, halfpage MEA396 0 2.0 0 1.6 30 1.2 0.4 Cc (pF) VCB (V) 10 0.8 20 Fig.4 Transition frequency as a function of collector current. VCE = 5 V; f = 500 MHz; Tj =25 °C. handbook, halfpage MEA393 010 20 30 2 0 1 IC (mA) fT (GHz) Fig.5 Minimum noise figure as a function of collector current. VCE = 5 V; RS =50 Ω; f = 500 MHz; Tj =25 °C. handbook, halfpage MEA397 0 10 0 12 48 F (dB) 5 16 20 IC (mA) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |