| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2N7002L-AE3-R bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2N7002L-AE3-R bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Unisonic Technologies |
|
4 / 6 page ![]() 2N7002 MOSFET UNISONICTECHNOLOGIESCO.,LTD 4 www.unisonic.com.tw QW-R206-037,B TYPICAL CHARACTERICS 05 4 3 2 1 1.5 1 0.5 0 2 3.0V 2 1.6 1.2 0.8 0.4 VGS=4.0V 3 2.5 2 1.5 1 0 0.5 DRAIN - SOURCE VOLTAGE, VDS (V) VGS=10V 4.0V 5.0V 6.0V 7.0V 8.0V 9.0V Figure 3. On-Region Characteristics DRAIN CURRENT, ID (A) Figure 4. On-Resistance Varisation with Gate Voltage and Drain Current 4.5V 5.0V 6.0V 7.0V 8.0V 9.0V 10V 100 75 0 -25 2 1.5 1 -50 0.5 1.6 1.2 0.8 0.4 VGS=10V 3 2.5 2 1.5 1 0 0.5 25 50 150 125 0.75 1.25 1.75 2 0 TJ =125℃ 25℃ JUCTION TEMPERATURE, TJ (°C) Figure 5. On-Resistance Varisation with Temperature VGS=10V ID=500mA DRAIN CURRENT,ID (A) Figure 6. On-Resistance Varisation with Drain Current and Temperature 0 10 8 6 4 2 100 75 0 -25 -50 25 50 125 1.6 1.2 1.8 0.4 2 0 150 1.1 1.05 1 0.95 0.9 0.85 0.8 GATE TO SOURCE VOLTAGE , VGS (V) Figure 7. Transfer Characteristics VDS=10V 25℃ 125℃ JUCTION TEMPERATURE, TJ (°C) Figure 8. Gate Threshold Varisation with Temperature VGS = VDS ID = 1mA |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |