| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFG505/X bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFG505/X bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 16 page ![]() 1998 Oct 02 3 Philips Semiconductors Product specification NPN 9 GHz wideband transistors BFG505; BFG505/X LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134). Note 1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector pin. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter − 20 V VCES collector-emitter voltage RBE =0 − 15 V VEBO emitter-base voltage open collector − 2.5 V IC collector current (DC) − 18 mA Ptot total power dissipation Ts ≤ 130 °C; see Fig.2; note 1 − 150 mW Tstg storage temperature range −65 150 °C Tj junction temperature − 175 °C Fig.2 Power derating curve. handbook, halfpage 0 50 100 200 200 150 50 0 100 150 MRA638-1 Ptot (mW) Ts (°C) THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Ts is the temperature at the soldering point of the collector pin. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point note 1 290 K/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |