| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BF1101WR bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BF1101WR bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 16 page ![]() 1999 May 14 3 Philips Semiconductors Product specification N-channel dual-gate MOS-FETs BF1101; BF1101R; BF1101WR LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Ts is the temperature of the soldering point of the source lead. THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VDS drain-source voltage − 7V ID drain current − 30 mA IG1 gate 1 current −±10 mA IG2 gate 2 current −±10 mA Ptot total power dissipation Ts ≤ 110 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj operating junction temperature − +150 °C SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point 200 K/W Fig.4 Power derating curve. handbook, halfpage 0 50 100 200 250 0 200 MGL615 150 150 100 50 Ptot (mW) Ts (°C) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |