công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

2SA1395 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Renesas Technology Corp

tên linh kiện 2SA1395
Giải thích chi tiết về linh kiện  SILICON POWER TRANSISTOR
PDF  8 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  RENESAS [Renesas Technology Corp]
Trang chủ  http://www.renesas.com
Logo RENESAS - Renesas Technology Corp

2SA1395 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Renesas Technology Corp

  2SA1395 Datasheet HTML 1Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 2Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 3Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 4Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 5Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 6Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 7Page - Renesas Technology Corp 2SA1395 Datasheet HTML 8Page - Renesas Technology Corp  
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 4 / 8 page
background image
Data Sheet D16185EJ1V0DS
2
2SA1395
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Parameter
Symbol
Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Collector to emitter voltage
VCEO(SUS)
IC =
−1.0 A, IB1 = −0.1 A, L = 1 mH
−100
V
Collector to emitter voltage
VCEX(SUS)1
IC =
−1.0 A, IB1 = −IB2 = −0.1 A,
VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180
µH, clamped
−100
V
Collector to emitter voltage
VCEX(SUS)2
IC =
−2.0 A, IB1 = −0.2 A, IB2 = 0.1 A,
VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180
µH, clamped
−100
V
Collector cutoff current
ICBO
VCB =
−100 V, IE = 0
−10
µA
Collector cutoff current
ICER
VCE =
−100 V, RBE = 51 Ω, Ta = 125°C
−1.0
mA
Collector cutoff current
ICEX1
VCE =
−100 V, VBE(OFF) = 5.0 V
−10
µA
Collector cutoff current
ICEX2
VCE =
−100 V, VBE(OFF) = 5.0 V,
Ta = 125
°C
−1.0
mA
Emitter cutoff current
IEBO
VEB =
−5.0 V, IC = 0
−10
µA
DC current gain
hFE1*
VCE =
−5.0 V, IC = −0.1 A
40
DC current gain
hFE2*
VCE =
−5.0 V, IC = −1.0 A
40
200
Collector saturation voltage
VCE(sat)*
IC =
−1.0 A, IB = −0.1 A
−0.6
V
Base saturation voltage
VBE(sat)*
IC =
−1.0 A, IB = −0.1 A
−1.5
V
Turn-on time
ton
0.5
µs
Storage time
tstg
1.5
µs
Fall time
tf
IC =
−1.0 A, RL = 50 Ω,
IB1 =
−IB2 = −0.1 A, VCC ≅ −50 V
Refer to the test circuit.
0.5
µs
* Pulse test PW
≤ 350
µs, duty cycle ≤ 2%
hFE CLASSIFICATION
Marking
M
L
K
hFE2
40 to 80
60 to 120
100 to 200
TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25
°°°°C)
Ambient Temperature Ta (
°C)
Collector to Emitter Voltage VCE (V)
2 mm aluminum board,
silicon grease coating
With infinite heatsink (Ta = 25
°C)
Without heatsink



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com