| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BC856W bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BC856W bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 12 page ![]() 1999 Apr 12 3 Philips Semiconductors Product specification PNP general purpose transistors BC856W; BC857W LIMITING VALUES In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134). Note 1. Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN. MAX. UNIT VCBO collector-base voltage open emitter BC856W −−80 V BC857W −−50 V VCEO collector-emitter voltage open base BC856W −−65 V BC857W −−45 V VEBO emitter-base voltage open collector −−5V IC collector current (DC) −−100 mA ICM peak collector current −−200 mA IBM peak base current −−200 mA Ptot total power dissipation Tamb ≤ 25 °C; note 1 − 200 mW Tstg storage temperature −65 +150 °C Tj junction temperature − 150 °C Tamb operating ambient temperature −65 +150 °C |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |