| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
CEC3133 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - CET-MOS Technology Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CEC3133 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - CET-MOS Technology Corp. |
|
1 / 5 page ![]() P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor CEC3133 FEATURES -30V, -30A, RDS(ON) = 17mW @VGS = -10V. RDS(ON) = 26mW @VGS = -4.5V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON). High power and current handing capability. 1 RoHS compliant. http://www.cet-mos.com Rev 1. 2018.Apr S G D Details are subject to change without notice . D G S DFN3*3 S S D D D ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 C unless otherwise noted Parameter Symbol Rating Units Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Drain Current-Continuous Maximum Power Dissipation VDS VGS ID PD IDM -30 2.5 -40 -30 V W A A -19 A Drain Current-Pulsed a -120 A Operating and Store Temperature Range TJ,Tstg -55 to 150 C Thermal Characteristics Thermal Resistance, Junction-to-Case b Parameter Symbol Limit Units C/W 5 RqJc Thermal Resistance, Junction-to-Ambient b C/W 50 RqJA TC = 25 C TC = 100 C TC = 25 C TA = 25 C -10 A -6 A TA = 25 C TA = 100 C TC = 25 C TA = 25 C 25 W V ±25 |
Số phần tương tự - CEC3133 |
|
Mô tả tương tự - CEC3133 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |