| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAS81 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAS81 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 8 page ![]() 1998 Jun 24 3 Philips Semiconductors Product specification Schottky barrier diodes BAS81; BAS82; BAS83 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tamb =25 °C unless otherwise specified. Note 1. Pulsed test: tp = 300 µs; δ = 0.02. THERMAL CHARACTERISTICS Note 1. Refer to SOD80 standard mounting conditions. SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MAX. UNIT VF forward voltage see Fig.2 IF = 0.1 mA 330 mV IF =1mA 410 mV IF =15mA 1V IR reverse current VR =VRmax; see Fig.3 200 nA Cd diode capacitance f = 1 MHz; VR = 2 V; see Fig.4 1.6 pF SYMBOL PARAMETER CONDITIONS VALUE UNIT Rth j-a thermal resistance from junction to ambient note 1 320 K/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |