| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAS29 bảng dữ liệu(PDF) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAS29 bảng dữ liệu(HTML) 6 Page - NXP Semiconductors |
|
6 / 12 page ![]() 1999 May 21 6 Philips Semiconductors Product specification General purpose controlled avalanche (double) diodes BAS29; BAS31; BAS35 Fig.5 Reverse current as a function of junction temperature. handbook, halfpage 10 200 0 MBH282 100 Tj ( oC) IR ( µA) 1 10−2 10−1 102 (1) (2) (1) VR = 90 V; maximum values. (2) VR = 90 V; typical values. Fig.6 Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values. f = 1 MHz; Tj =25 °C. handbook, halfpage 010 20 30 VR (V) 40 Cd (pF) 30 10 0 20 MGD003 Fig.7 Reverse recovery voltage test circuit and waveforms. (1) IR = 3 mA. handbook, full pagewidth t rr (1) I F t output signal t r t t p 10% 90% VR input signal V = V I x R RF S R = 50 S Ω IF D.U.T. R = 50 i Ω SAMPLING OSCILLOSCOPE MGA881 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |