| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BAP64-06 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BAP64-06 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - NXP Semiconductors |
|
3 / 7 page ![]() 1999 Dec 17 3 Philips Semiconductors Preliminary specification Silicon PIN diode BAP64-06 ELECTRICAL CHARACTERISTICS Tj = 25 °C unless otherwise specified. Note 1. Guaranteed on AQL basis: inspection level S4, AQL 1.0. THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER CONDITIONS TYP. MAX. UNIT Per diode VF forward voltage IF =50mA 0.95 1.1 V IR reverse current VR = 175 V − 10 µA VR =20 V − 1 µA Cd diode capacitance VR = 0; f = 1 MHz 0.52 − pF VR = 1 V; f = 1 MHz 0.37 − pF VR = 20 V; f = 1 MHz 0.23 0.35 pF rD diode forward resistance IF = 0.5 mA; f = 100 MHz; note 1 20 40 Ω IF = 1 mA; f = 100 MHz; note 1 10 20 Ω IF = 10 mA; f = 100 MHz; note 1 2 3.8 Ω IF = 100 mA; f = 100 MHz; note 1 0.7 1.35 Ω τL charge carrier life time when switched from IF =10mA to IR =6mA; RL = 100 Ω; measured at IR =3 mA 1.55 −µs LS series inductance 1.4 − nH SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT Rth j-s thermal resistance from junction to soldering point 220 K/W |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |