| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
HC5503TCBZ bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
HC5503TCBZ bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Renesas Technology Corp |
|
5 / 6 page ![]() HC5503T FN4506 Rev 2.00 Page 5 of 6 June 2004 Applications Diagram Typical Component Values C1 = 0.3F, 30V, 20%. C2 = 0.01F, 100V,20%. C3 = 0.01F, 20V, 20%. C4 = 0.5F, 20V, 20%. C5 = 0.5 F, 30V, 20%. RB1 = RB2 = RB3 = RB4 = 150 PTC used as ring generator ballast. NOTES: 4. Secondary protection diode bridge recommended is a 2A, 200V type. 5. All grounds (AG, BG, and DG) must be applied before VCC or VBAT. Failure to do so may result in premature failure of the part. If a user wishes to run separate grounds off a line card, the AG must be applied first. 6. Application shows Ring Injected Ringing. RB4 RING RING FEED TIP VBAT SLIC HC5503T RB2 RB1 RING RB3 SUBSCRIBER LOOP -48V SYSTEM CONTROLLER 1 9 10 2 TIP FEED TIP RX TX C1 VBAT BGND DGND AGND VCC SHD 13 11 12 6 23 C3 3 VCC C2 C1 21 24 20 19 18 5 C4 C5 5V PRIMARY PROTECTION (NOTE 4) PIN NUMBERS GIVEN FOR SOIC PACKAGE. K1A PTC Z1 -48V RING GENERATOR RS 7 T3 T2 T1 FIGURE 1. TYPICAL LINE CIRCUIT APPLICATION WITH THE MONOLITHIC SLIC K1A |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |