| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AT25QL321 bảng dữ liệu(PDF) 71 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AT25QL321 bảng dữ liệu(HTML) 71 Page - Renesas Technology Corp |
|
71 / 82 page ![]() DS-AT25QL321-131 Rev. D Page 71 Nov 1, 2022 © 2022 Renesas Electronics AT25QL321 Datasheet 1. These parameters are characterized at -10 ˚C and +85 ˚C only Figure 65. Power-up Timing and Voltage Levels 1. These parameters are characterized only. Figure 66. ACC Program Acceleration Timing and Voltage Levels 9.4 Power-up Timing and Write Inhibit Threshold Parameter Symbol Min Max Units VCC (min) to CS Low tVSL(1) 10 µs Time Delay Before Write Command tPUW(1) 110 ms Write Inhibit Threshold Voltage VWI(1) 1.0 1.4 V 9.5 Program Acceleration via ACC Pin Parameter Symbol Min Max Units WP pin High Voltage VHH 1 8.5 9.5 V WP pin Voltage rise and fall time tVHH 1 2.2 µs WP at VHH and VIL or VIH to first command tWC 1 5µs |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |