| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STM32C011D4U6 bảng dữ liệu(PDF) 58 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STM32C011D4U6 bảng dữ liệu(HTML) 58 Page - STMicroelectronics |
|
58 / 94 page ![]() Electrical characteristics STM32C011x4/x6 58/94 DS13866 Rev 3 tprog_bank Bank (32 Kbyte(2)) programming time Normal programming - 0.4 0.6 s Fast programming - 0.2 0.4 tME Mass erase time - - 22.1 40.1 ms IDD(FlashA) Average consumption from VDD Programming - 3.0 - mA Page erase - 3.0 - Mass erase - 5.0 - IDD(FlashP) Maximum current (peak) Programming, 2 µs peak duration -7.0 - mA Erase, 41 µs peak duration - 7.0 - 1. Specified by design – Not tested in production. 2. Values provided also apply to devices with less flash memory than one 32 Kbyte bank Table 42. Flash memory characteristics(1) (continued) Symbol Parameter Conditions Min Typ Max Unit Table 43. Flash memory endurance and data retention Symbol Parameter Conditions Min(1) Unit NEND Endurance TJ = -40 to +130 °C 10 kcycles tRET Data retention 1 kcycle(2) at TA = 85 °C 30 Years 1 kcycle(2) at TA = 105 °C 15 1 kcycle(2) at TA = 125 °C 7 10 kcycles(2) at TA = 55 °C 30 10 kcycles(2) at TA = 85 °C 15 10 kcycles(2) at TA = 105 °C 10 1. Evaluated by characterization – Not tested in production.. 2. Cycling performed over the whole temperature range. |
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |