| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP80NF10 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP80NF10 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 14 page ![]() STP80NF10 - STB80NF10 Electrical ratings 3/14 1 Electrical ratings Table 1. Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage (VGS = 0) 100 V VGS Gate- source voltage ±20 V ID (1) 1. Limited by package Drain current (continuous) at TC = 25°C 80 A ID (1) Drain current (continuous) at TC = 100°C 80 A IDM (2) 2. Pulse width limited by safe operating area Drain current (pulsed) 320 A PTOT Total dissipation at TC = 25°C 300 W Derating factor 2 W/°C dv/dt (3) 3. ISD < 80A, di/dt < 300A/µs, VDD= 80 % V(BR)DSS Peak diode recovery voltage slope 7 V/ns EAS (4) 4. Starting Tj = 25°C, ID = 80A, VDD = 50V Single pulse avalanche energy 350 mJ Tstg Tj Storage temperature Operating junction temperature -55 to 175 °C Table 2. Thermal resistance Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case Max 0.5 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient Max 62.5 °C/W Tl Maximum lead temperature for soldering purpose 300 °C |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |