| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SJ331 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SJ331 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - Renesas Technology Corp |
|
8 / 9 page ![]() Data Sheet D18444EJ2V0DS 6 2SJ331 PACKAGE DRAWING (Unit: mm) TO-3P (MP-88) 15.7 MAX. 3.2±0.2 2.2±0.2 5.45 TYP. 5.45 TYP. 1.0±0.2 4.7 MAX. 1.5 TYP. 2.8±0.1 0.6±0.1 1 2 3 4 φ 1.Gate 2.Drain 3.Source 4.Fin (Drain) EQUIVALENT CIRCUIT Remark The diode connected between the gate and source of the transistor serves as a protector against ESD. When this device actually used, an additional protection circuit is externally required if a voltage exceeding the rated voltage may be applied to this device. <R> |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |