| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
2SC5369 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
2SC5369 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - Renesas Technology Corp |
|
3 / 14 page ![]() 2SC5369 SILICON TRANSISTOR Document No. P11644EJ1V0DS00 (1st edition) Date Published September 1996 P Printed in Japan FEATURES • High fT 14 GHz TYP. • High gain | S21e | 2 = 14 dB TYP. @f = 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA • NF = 1.3 dB, @f = 2 GHz, VCE= 3 V, IC = 3 mA • 6-pin small mini mold package ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C) PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector to Base Voltage VCBO 9V Collector to Emitter Voltage VCEO 6V Emitter to Base Voltage VEBO 2V Collector Current IC 30 mA Total Power Dissipation PT 150 mW Junction Temperature TI 150 °C Storage Temperature Tstg –65 to +150 °C PACKAGE DIMENSION (in mm) PIN CONNECTIONS 1. Emitter 4. Emitter 2. Emitter 5. Emitter 3. Base 6. Collector NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FOR MICROWAVE AMPLIFICATION © 1996 PRELIMINARY DATA SHEET 2.1±0.1 1.25±0.1 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |