| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP65N150M9 bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP65N150M9 bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - STMicroelectronics |
|
4 / 12 page ![]() Table 7. Source-drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit ISD Source-drain current - 20 A ISDM(1) Source-drain current (pulsed) - 60 A VSD(2) Forward on voltage ISD = 20 A, VGS = 0 V - 1.6 V trr Reverse recovery time ISD = 20 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 100 V (see Figure 16. Test circuit for inductive load switching and diode recovery times) - 192 ns Qrr Reverse recovery charge - 1.8 µC IRRM Reverse recovery current - 17.5 A trr Reverse recovery time ISD = 20 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = 100 V, TJ = 150 °C (see Figure 16. Test circuit for inductive load switching and diode recovery times) - 280 ns Qrr Reverse recovery charge - 3.6 µC IRRM Reverse recovery current - 20.5 A 1. Pulse width is limited by safe operating area. 2. Pulsed: pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5%. STP65N150M9 Electrical characteristics DS13496 - Rev 3 page 4/12 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |