công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

STGD4M65DF2 bảng dữ liệu(PDF) 8 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STGD4M65DF2
Giải thích chi tiết về linh kiện  Trench gate field-stop, 650 V, 4 A, M series low-loss IGBT
PDF  20 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STGD4M65DF2 bảng dữ liệu(HTML) 8 Page - STMicroelectronics

Back Button STGD4M65DF2 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 10Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 11Page - STMicroelectronics STGD4M65DF2 Datasheet HTML 12Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 8 / 20 page
background image
Figure 19. Short-circuit time and current vs. VGE
IGBT170320161118SCV
21
17
13
9
5
25
20
15
10
5
9
10
11
12
13
14
15
t
sc
(µs)
V GE(V)
I sc
[A]
t
SC
I
SC
VGE ≥15 V, T
J ≤ 175 °C
Figure 20. Switching times vs. collector current
IGBT160320161149STC
10 2
10 1
10 0
0
2
4
6
t
(ns)
I C (A)
V CC = 400 V, V GE = 15 V, R G = 47 Ω,
T j = 175 °C
t f
t d(off)
t d(on)
t r
Figure 21. Switching times vs. gate resistance
IGBT160320161153STR
10 2
10 1
10 0
0
100
200
300
400
t
(ns)
R G (Ω)
V CC = 400 V, V GE = 15 V, I C = 4 A,
T j = 175 °C
t d(off)
t d(on)
t r
t f
Figure 22. Reverse recovery current vs. diode current
slope
IGBT170320161121RRC
6
5
4
3
2
1
0
150
300
450
600
750
Irrm
(A)
di/dt (A/µs)
VCC = 400 V, VGE = 15 V, IF = 4 A,
Tj = 175 °C
Figure 23. Reverse recovery time vs. diode current slope
IGBT170320161122RRT
440
380
320
260
200
0
150
300
450
600
750
t rr
(ns)
di/dt (A/µs)
V CC =400 V, V GE = 15 V, I F = 4 A,
T j = 175 °C
Figure 24. Reverse recovery charge vs. diode current
slope
IGBT170320161123RRQ
370
365
360
355
350
0
150
300
450
600
750
di/dt (A/µs)
Qrr
(nC)
VCC = 400 V, VGE = 15 V, IF = 4 A,
Tj = 175 °C
STGD4M65DF2
STGD4M65DF2 electrical characteristics (curves)
DS11397 - Rev 5
page 8/20



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com