| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STPS61H100CW bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STPS61H100CW bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 4 page ![]() STPS61H100CW 3/4 0 50 100 150 200 250 300 350 400 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 I(A) M IM t δ=0.5 t(s) T =25°C c T =75°C c T =125°C c Fig. 5: Non repetitive surge peak forward current versus overload duration (maximum values, per diode). 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 Z/R th(j-c) th(j-c) δ = 0.5 δ = 0.2 δ = 0.1 Single pulse T δ=tp/T tp t(s) p Fig. 6: Relative variation of thermal impedance junction to case versus pulse duration. I (mA) R 1.E-04 1.E-03 1.E-02 1.E-01 1.E+00 1.E+01 1.E+02 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 V (V) R T =125°C j T =150°C j T =100°C j T =50°C j T =25°C j T =75°C j Fig. 7: Reverse leakage current versus reverse voltage applied (typical values, per diode). 0.10 1.00 10.00 1 10 100 C(nF) V(V) R F=1MHz V =30mV T =25°C OSC RMS j Fig. 8: Junction capacitance versus reverse voltage applied (typical values, per diode). 1 10 100 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 I(A) FM V(V) FM T =25°C (maximum values) j T =125°C (maximum values) j T =125°C (typical values) j Fig. 9: Forward voltage drop versus forward current (per diode). |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |