| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IRF360 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IRF360 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IRF360 DESCRIPTION · silicon Gate for fast switching at elevate · rugged · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · suited for applications such as Switching power supplies,motor controls ,inverters, Choppers,audio amplifiers and high energy pulse circuits. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL ARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage (VGS=0) 400 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-continuous@ TC=25℃ 25 A Ptot Total Dissipation@TC=25℃ 300 W Tj Max. Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 0.42 ℃ /W Rth j-a Thermal Resistance,Junction to Ambient 30 ℃ /W |
Số phần tương tự - IRF360 |
|
Mô tả tương tự - IRF360 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |