| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IXTH12N100L bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IXTH12N100L bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc N-Channel MOSFET Transistor IXTH12N100L · FEATURES · Drain Source Voltage- : VDSS=1000V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) =1.3Ω(Max) · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · APPLICATIONS · Switching applications · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage 1000 V VGSS Gate-Source Voltage ± 30 V ID Drain Current-Continuous 12 A IDM Drain Current-Single Pulsed 25 A PD Total Dissipation 400 W EAS TC = 25 °C 1.5 J Tj Operating Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature -55~150 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(ch-c) Channel-to-case thermal resistance 0.3 ℃ /W |
Số phần tương tự - IXTH12N100L |
|
Mô tả tương tự - IXTH12N100L |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |