| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
CPD41 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
CPD41 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Central Semiconductor Corp |
|
1 / 2 page ![]() Central Semiconductor Corp. TM PROCESS CPD41 Switching Diode High Current Switching Diode Chip PRINCIPAL DEVICE TYPES 1N3600 1N4150 CMPD4150 Process EPITAXIAL PLANAR Die Size 20 x 20 MILS Die Thickness 8.0 MILS Anode Bonding Pad Area 6.5 x 6.5 MILS Top Side Metalization Al - 30,000Å Back Side Metalization Au - 12,000Å PROCESS DETAILS 145 Adams Avenue Hauppauge, NY 11788 USA Tel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824 www.centralsemi.com GEOMETRY BACKSIDE CATHODE R2 (1-August 2002) GROSS DIE PER 4 INCH WAFER 29,250 |
Số phần tương tự - CPD41 |
|
Mô tả tương tự - CPD41 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |