| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
PJS6830 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Pan Jit International Inc. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
PJS6830 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Pan Jit International Inc. |
|
1 / 6 page ![]() PJS6830 January 20,2022 PJS6830-REV.01 Page 1 20V Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET – ESD Protected Voltage 20 V Current 2 A SOT-23 6L Unit: inch(mm) Features RDS(ON) , VGS@4.5V, ID@2.0A<150m Ω RDS(ON) , VGS@2.5V, ID@1.5A<215m Ω RDS(ON) , VGS@1.8V, ID@0.5A<400m Ω Advanced Trench Process Technology Specially Designed for Switch Load, PWM Application, etc. ESD Protected 2KV HBM Lead free in compliance with EU RoHS 2.0 Green molding compound as per IEC 61249 standard Mechanical Data Case: SOT-23 6L Package Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Approx. Weight: 0.0005 ounces, 0.0141 grams PARAMETER SYMBOL LIMIT UNITS Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS +8 V Continuous Drain Current ID 2 A Pulsed Drain Current(Note 4) IDM 8 A Power Dissipation Ta=25oC PD 1.25 W Derate above 25oC 10 mW/ oC Operating Junction and Storage Temperature Range TJ,TSTG -55~150 oC Typical Thermal Resistance - Junction to Ambient(Note 3) RθJA 100 oC/W Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25 o C unless otherwise noted) |
Số phần tương tự - PJS6830 |
|
Mô tả tương tự - PJS6830 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |