| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFT51F bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFT51F bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
1 / 1 page ![]() A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 °C NONE SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS BVCEO IC = 10 mA 10 V BVCER IC = 10 mA RBE = 100 Ω 19 V BVCBO IC = 5.0 mA 20 V BVEBO IC = 1.0 mA 3.0 V ICES VCE = 10 V 100 µµµµA HFE VCE = 5.0 V IC = 100 mA IC = 300 mA 40 50 --- ft VCE = 5.0 V IC = 300 mA f = 100 MHz 1.0 2.0 GHz Ccb VCB = 5.0 V f = 1.0 MHz 4.2 Pf CC VCB = 5.0 V f = 1.0 MHz 5.8 Pf NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR BFT51F DESCRIPTION: The ASI BFT51 is Designed for High Frequency Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS IC 500 mA VCE 20 V PDISS 3.0 W @ TC = 25 °C TJ -65 °C to +175 °C TSTG -65 °C to +175 °C θθθθ JC 20 K/W PACKAGE STYLE TO- 126 |
Số phần tương tự - BFT51F |
|
Mô tả tương tự - BFT51F |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |