| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AT6021 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AT6021 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Semiconductor |
|
|
1 / 1 page ![]() A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C. REV. A 7525 ETHEL AVENUE • NORTH HOLLYWOOD, CA 91605 • (818) 982-1202 • FAX (818) 765-3004 1/1 Specifications are subject to change without notice. CHARACTERISTICS TC = 25 OC NONE SYMBOL TEST CONDITIONS MINIMUM TYPICAL MAXIMUM UNITS VB IR = 10 µA70 V CT VR = 4.0 V f = 1.0 MHz 44.65 47.0 49.35 pF ∆∆∆∆C T CT0/CT60 f = 1.0 MHz 7.4 --- ∆∆∆∆C T CT8/CT60 f = 1.0 MHz 2.50 2.60 --- Q VR = 4.0 V f = 50 MHz 600 --- SILICON ABRUPT JUNCTION TUNING VARACTOR AT6021 DESCRIPTION: The AT6021 is an Epitaxial Silicon Abrupt Junction Microwave Tuning Varactor. This Device is Passivated With Silicon Dioxide Which Results in Very Low Leakage Current. The Capacitance Voltage Relationship Closely Approximates Square Law (n = 0.5). MAXIMUM RATINGS IC 100 mA VCE 70 V PDISS 250 mW @ TC = 25 OC TJ -65 to +150 OC TSTG -65 to +150 OC θθθθ JC 500 OC/W PACKAGE STYLE 15 (DO-7) |
Số phần tương tự - AT6021 |
|
Mô tả tương tự - AT6021 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |