| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MS1227 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MS1227 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Advanced Power Technology |
|
1 / 3 page ![]() MS1227.PDF 10-28-02 Advanced Power Technology reserves the right to change, without notice, the specifications and information contained herein Visit our website at WWW.ADVANCEDPOWER.COM or contact our factory direct. MS1227 RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS DESCRIPTION: DESCRIPTION: The MS1227 is a 12.5V epitaxial NPN planar transistor designed primarily for SSB communications. This device utilizes emitter ballasting for improved ruggedness and reliability. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 36 V VCEO Collector-Emitter Voltage 18 V VEBO Emitter-Base Voltage 4.0 V IC Device Current 4.5 A PDISS Power Dissipation 80 W TJ Junction Temperature +200 °°C TSTG Storage Temperature -65 to +150 °°C Thermal Data Thermal Data RTH(J-C) Junction-case Thermal Resistance 2.2 °°C/W Features • 30 MHz • 12.5 VOLTS • GOLD METALIZATION • P OUT = 20 W MINIMUM • G P = 15 dB • COMMON EMITTER CONFIGURATION |
Số phần tương tự - MS1227 |
|
Mô tả tương tự - MS1227 |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |