| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STS5DP3LLH6 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STS5DP3LLH6 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - STMicroelectronics |
|
5 / 14 page ![]() STS5DP3LLH6 Electrical characteristics DocID025864 Rev 3 5/14 Table 7: Source drain diode Symbol Parameter Test conditions Min. Typ. Max. Unit VSD (1) Forward on-voltage ISD = -5 A, VGS = 0 V - -1.1 V trr Reverse recovery time ISD = -5 A, di/dt = 100 A/µs, VDD = -16 V, TJ = 150 °C - 11.2 ns Qrr Reverse recovery charge - 3.5 nC IRRM Reverse recovery current - -0.6 A Notes: (1)Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5% |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |