công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

STW38N65M5-4 bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics

tên linh kiện STW38N65M5-4
Giải thích chi tiết về linh kiện  N-channel 650 V, 0.073 typ., 30 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 package
PDF  13 Pages
Scroll/Zoom Zoom In 100%  Zoom Out
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics

STW38N65M5-4 bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics

  STW38N65M5-4 Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics STW38N65M5-4 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics Next Button
Zoom Inzoom in Zoom Outzoom out
 3 / 13 page
background image
STW38N65M5-4
Electrical ratings
DocID029243 Rev 1
3/13
1
Electrical ratings
Table 2: Absolute maximum ratings
Symbol
Parameter
Value
Unit
VGS
Gate- source voltage
±25
V
ID
Drain current (continuous) at TC = 25 °C
30
A
ID
Drain current (continuous) at TC = 100 °C
19
A
IDM
(1)
Drain current (pulsed)
120
A
PTOT
Total dissipation at TC = 25 °C
190
W
dv/dt
(2)
Peak diode recovery voltage slope
15
V/ns
dv/dt
(3)
MOSFET dv/dt ruggedness
50
V/ns
Tstg
Storage temperature range
- 55 to 150
°C
Tj
Operating junction temperature range
Notes:
(1)
Pulse width limited by safe operating area
(2)
ISD
≤ 30 A, di/dt = 400 A/µs, VDS(peak) < V(BR)DSS, VDD = 400 V
(3)
VDS
≤ 520 V
Table 3: Thermal data
Symbol
Parameter
Value
Unit
Rthj-case
Thermal resistance junction-case max
0.66
°C/W
Rthj-amb
Thermal resistance junction-ambient max
50
°C/W
Table 4: Avalanche characteristics
Symbol
Parameter
Value
Unit
IAR
Avalanche current, repetitive or not repetitive (pulse width limited
by Tjmax )
8
°C/W
EAS
Single pulse avalanche energy (starting TJ = 25 °C, ID = IAR,
VDD = 50 V)
660
mJ



Html Pages

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13


bảng dữ liệu tải về

Go To PDF Page


Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com