| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
STP410N4F7AG bảng dữ liệu(PDF) 3 Page - STMicroelectronics |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
STP410N4F7AG bảng dữ liệu(HTML) 3 Page - STMicroelectronics |
|
3 / 13 page ![]() STP410N4F7AG Electrical ratings DocID029380 Rev 1 3/13 1 Electrical ratings Table 2: Absolute maximum ratings Symbol Parameter Value Unit VDS Drain-source voltage 40 V VGS Gate-source voltage ±20 V ID(1) Drain current (continuous) at Tcase = 25 °C 180 A Drain current (continuous) at Tcase = 100 °C 180 IDM(2) Drain current (pulsed) 720 A PTOT Total dissipation at Tcase = 25 °C 365 W EAS(3) Single pulse avalanche energy 1.9 J Tstg Storage temperature range -55 to 175 °C Tj Operating junction temperature range Notes: (1) Current is limited by package, the current capability of the silicon is 350 A at 25 °C. (2) Pulse width is limited by safe operating area. (3)Tj ≤ 175 °C, Iav=80A Table 3: Thermal data Symbol Parameter Value Unit Rthj-case Thermal resistance junction-case 0.41 °C/W Rthj-amb Thermal resistance junction-ambient max 62.5 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |