| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
YFW12H02TS bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
YFW12H02TS bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD |
|
4 / 6 page ![]() YFW12H02TS 4 / 6 www.yfwdiode.com GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. Ratings and Characteristic Curves Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Gate Charge Waveform 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 t , Pulse Width (s) 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse PDM t T 0.02 Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC 0.1 1 10 100 0.01 0.1 1 10 100 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) T C =25 o C Single Pulse 10us 100us 1ms 10ms DC 0 2 4 6 8 0 8 16 24 32 Q G , Total Gate Charge (nC) I D =20 A V DS =10V 0 400 800 1200 1600 2000 2400 1 5 9 13 17 21 25 V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 8 16 24 32 012 34 V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T j =150 o C T j =25 o C V DS =5V T j = -55 o C Operation in this area limited by RDS(ON) Q VG 4.5V QGS QGD QG Charge . Rev:2021Y1 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |