| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISCN392P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCN392P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon PNP Darlington Power Transistor ISCN392P DESCRIPTION · Collector-Emitter Sustaining Voltage : VCEO(sus)= -100V(Min) · High DC Current Gain : hFE= 1000(Min) @IC= -5A · Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat) = -2.0 V (Max) @ IC = -5A · Complement to Type ISCP392P · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for general-purpose amplifier and low-speed switching applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage -100 V VCEO Collector-Emitter Voltage -100 V VEBO Emitter-Base Voltage -5.0 V IC Collector Current-Continuous -8 A ICP Collector Current-Peak -12 A PC Collector Power Dissipation @ TC=25℃ 70 W TJ Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃ THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 1.4 ℃ /W |
Số phần tương tự - ISCN392P |
|
Mô tả tương tự - ISCN392P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |