| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
QPD1025LEVB2 bảng dữ liệu(PDF) 5 Page - Qorvo, Inc |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
QPD1025LEVB2 bảng dữ liệu(HTML) 5 Page - Qorvo, Inc |
|
5 / 26 page ![]() Error! Unknown document property name. Data Sheet Rev. L, March 2022 Subject to change without notice | All rights reserved 5 of 26 www.qorvo.com QPD1025L 1800 W, 65 V, 0.96 – 1.215GHz, GaN RF Input-Matched Transistor Thermal and Reliability Information – Pulsed 1 Parameter Conditions Values Units Thermal Resistance, IR1 (θJC) 85 °C Case backside Temperature Pdiss = 518 W, Pulse: 100 us PW, 10% DC 0.10 °C/W Peak IR Surface Temperature1 (Tch) 131 °C Notes: 1. Refer to the following document GaN Device Channel Temperature, Thermal Resistance, and Reliability Estimates |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |