| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
NVC080N120SC1 bảng dữ liệu(PDF) 7 Page - ON Semiconductor |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
NVC080N120SC1 bảng dữ liệu(HTML) 7 Page - ON Semiconductor |
|
7 / 8 page ![]() NVC080N120SC1 www.onsemi.com 6 TYPICAL CHARACTERISTICS TJ = 25°C unless otherwise noted Figure 8. Gate Charge Characteristics Figure 9. Capacitance vs. Drain−to−Source Voltage Figure 10. Unclamped Inductive Switching Capability Figure 11. Maximum Continuous Drain Current vs. Case Temperature Figure 12. Forward Bias Safe Operating Area Figure 13. Single Pulse Maximum Power Dissipation 0 102030405060 0 5 10 15 20 ID = 20 A VDD = 600 V VDD = 800 V Qg, GATE CHARGE (nC) VDD = 400 V 0.1 1 10 100 800 1 10 100 1000 10000 f = 1 MHz VGS = 0 V VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V) Crss Coss Ciss 0.001 0.01 0.1 1 10 1 10 30 Starting TJ = 150 oC Starting TJ = 25oC tAV, TIME IN AVALANCHE (ms) 25 0 10 20 30 40 RqJC = 0.84 oC/W VGS = 20 V T C, CASE TEMPERATURE ( oC) 0.1 0.01 1 10 100 1000 10 ms 10 ms 1 ms 100 ms VDS, DRAIN to SOURCE VOLTAGE (V) THIS AREA IS LIMITED BY rDS(on) SINGLE PULSE TJ = MAX RATED RqJC = 0.84 oC/W TC = 25 oC 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 100 1000 10000 50000 SINGLE PULSE RqJC = 0.84 oC/W TC = 25 oC t, PULSE WIDTH (sec) 0.1 1 10 100 1000 5000 100 ms 50 75 100 125 150 175 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |